摘要：傳統(tǒng)的功率放大器調(diào)制驅(qū)動(dòng)器采用電荷泵式結(jié)構(gòu),使電路輸出的脈沖寬度受到限制,同時(shí),外圍元器件連接也較為復(fù)雜。提出了一種新型調(diào)制驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)解決以上問題。采用高側(cè)驅(qū)動(dòng)p型MOSFET的應(yīng)用架構(gòu),從而去除了電荷泵式結(jié)構(gòu);并引入分時(shí)電控結(jié)構(gòu),減少了外圍元件?；?.5μm BCD工藝設(shè)計(jì)了一款半橋式調(diào)制驅(qū)動(dòng)器芯片,測(cè)試結(jié)果表明,采用該技術(shù)的半橋驅(qū)動(dòng)器芯片,在沒有外接電容的情況下,驅(qū)動(dòng)能力可達(dá)400 mA,負(fù)載電容1 nF時(shí),驅(qū)動(dòng)信號(hào)上升沿和下降沿均小于100 ns,能夠滿足大多數(shù)小體積應(yīng)用需求,具有極好的應(yīng)用適應(yīng)性。