ITO窗口層光子晶體對GaN基LED性能的調(diào)控

郭忠全; 趙璇; 郭穎淄博市物流產(chǎn)業(yè)發(fā)展辦公室; 山東淄博255000; 濟南歷下控股集團有限公司; 濟南250000; 山東創(chuàng)宇環(huán)?？萍加邢薰? 濟南250000

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光子晶體
電致發(fā)光
光提取效率

摘要：與傳統(tǒng)光源相比,基于GaN材料的發(fā)光二極管(LED)具有量子效率高、壽命長等優(yōu)勢,在通用照明、顯示、醫(yī)療等領(lǐng)域中的應(yīng)用份額穩(wěn)步提升。然而受制于其材料特性與器件結(jié)構(gòu),GaN基LED在內(nèi)量子效率與光提取效率方面仍有較大的提升空間。為解決以上關(guān)鍵問題,利用電子束曝光技術(shù)成功在GaN基LED表面的氧化銦錫(ITO)窗口層集成了光子晶體,并對光子晶體對于LED發(fā)光波長、電流-電壓特性、發(fā)光強度等關(guān)鍵參數(shù)的調(diào)控進行了表征測量,結(jié)果表明,器件的法向電致發(fā)光強度提升了25%,器件的工作電壓也有所降低。

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