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MoS2/GO-g-C3N4-ZnO三元復(fù)合納米材料的制備及可見光光催化性能研究

王寧; 馬春雨; 胡金娟; 王佳琳; 秦福文; 張慶瑜 大連理工大學(xué)物理學(xué)院三束材料改性教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 遼寧大連116024
  • mos2
  • go
  • 三元復(fù)合材料
  • 水熱法
  • 可見光催化

摘要:通過水熱法制備出基于20%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))g-C3N4-ZnO的高效的三元復(fù)合材料0.2%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))MoS2-g-C3N4-ZnO(MCZ)和15%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))GO-g-C3N4-ZnO(GCZ)。采用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、光致熒光光譜(PL)、紫外-可見吸收光譜(UV-Vis)、瞬態(tài)光電流響應(yīng)對樣品進(jìn)行表征,研究了MoS2或GO的引入對ZnO晶體結(jié)構(gòu)、形貌、成分和光催化活性的影響。結(jié)果表明,MCZ和GCZ均保持ZnO的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),且g-C3N4為類石墨相。GO的引入可以抑制ZnO晶粒的生長,而MoS2的引入可以促進(jìn)ZnO晶粒的生長。GCZ復(fù)合材料中存在明顯的電子轉(zhuǎn)移現(xiàn)象,抑制20%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))g-C3N4-ZnO中光生電子空穴對的復(fù)合,提高其可見光催化性能。GCZ復(fù)合光催化劑的光催化活性明顯優(yōu)于20%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))g-C3N4-ZnO和MCZ。

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