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MCrAlY涂層對單晶中γ'相消耗及TCP相生成影響的模擬研究

原慷; 于月光; 劉建明; 章德銘 北京礦冶科技集團有限公司; 北京100044; 北京市工業(yè)部件表面強化與修復工程技術(shù)研究中心; 北京102206; 北礦新材科技有限公司; 北京102206
  • 單晶
  • 擴散
  • tcp相

摘要:高溫下,MCrAlY涂層與高溫合金單晶基材之間會發(fā)生元素互擴散,引起顯微組織結(jié)構(gòu)變化,往往造成單晶中具有析出強化作用的γ'相的消耗和對力學性能有害的拓撲密堆(Topological closed packed,TCP)相的生成。本研究采用擴散模擬計算的方法,設計了 6種 MCrAlY模型涂層,分析 Co、Cr、Al主元素對 DD6單晶基材顯微組織的影響規(guī)律。研究結(jié)果表明,基材中γ'相消耗區(qū)在靠近涂層-基材界面處形成,該區(qū)的形成主要與 Co、Cr元素內(nèi)擴散相關(guān)。基材中 TCP相則在更深位置的γ'相富集區(qū)內(nèi)生成,γ'相富集區(qū)與 Al元素內(nèi)擴散有關(guān)。另外,本文著重分析了涂層成分對γ'相消耗區(qū)深度及 TCP相生成含量與深度的影響。

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熱噴涂技術(shù)

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