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Ieee Electron Device Letters 加入收藏

IEEE 電子器件字母 SCIE

Ieee Electron Device Letters

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2區(qū)中科院分區(qū)

Q2JCR分區(qū)

4.1影響因子

0741-3106

1558-0563

IEEE ELECTR DEVICE L

UNITED STATES

工程技術(shù) - 工程:電子與電氣

1980

135

Monthly

English

477

0.10...

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期刊簡(jiǎn)介

IEEE 電子器件字母(Ieee Electron Device Letters)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的一本工程技術(shù)-工程:電子與電氣學(xué)術(shù)刊物,主要報(bào)道工程技術(shù)-工程:電子與電氣相關(guān)領(lǐng)域研究成果與實(shí)踐。本刊已入選來(lái)源期刊,該刊創(chuàng)刊于1980年,出版周期Monthly。2021-2022年最新版WOS分區(qū)等級(jí):Q2,2023年發(fā)布的影響因子為4.1,CiteScore指數(shù)8.2,SJR指數(shù)1.25。本刊非開放獲取期刊。

IEEE Electron Device Letters 發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)性和重要貢獻(xiàn),涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空器件和新興材料,應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電學(xué)、成像、微執(zhí)行器、納米電子學(xué)、光電子學(xué)、光伏、功率集成電路和微傳感器。

中科院分區(qū)信息

IEEE 電子器件字母2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)
IEEE 電子器件字母2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)
IEEE 電子器件字母2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)
IEEE 電子器件字母2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)
IEEE 電子器件字母2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)
IEEE 電子器件字母2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 2區(qū)
名詞解釋:

中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果。在中科院期刊分區(qū)表中,主要參考3年平均IF作為學(xué)術(shù)影響力,最終每個(gè)分區(qū)的期刊累積學(xué)術(shù)影響力是相同的,各區(qū)的期刊數(shù)量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分區(qū)信息

Ieee Electron Device Letters(2023-2024年最新版數(shù)據(jù))
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 94 / 352
73.4%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 77 / 354
78.39%
名詞解釋:

湯森路透每年出版一本《期刊引用報(bào)告》(Journal Citation Reports,簡(jiǎn)稱JCR)。JCR對(duì)86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數(shù)加以統(tǒng)計(jì)。JCR將收錄期刊分為176個(gè)不同學(xué)科類別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當(dāng)年IF,最終每個(gè)分區(qū)的期刊數(shù)量是均分的。

期刊數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

1、Cite Score(2024年最新版)
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q1 128 / 797
84%
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 51 / 284
82%
名詞解釋:

CiteScore:該指標(biāo)由Elsevier于2016年提出,指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScorer的計(jì)算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的計(jì)算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發(fā)表的文章在2022年獲得的被引次數(shù),除以該期刊2019年、2020年和2021發(fā)表并收錄于Scopus中的文章數(shù)量總和。

2、綜合數(shù)據(jù)
3、本刊綜合數(shù)據(jù)對(duì)比及走勢(shì)

文章引用數(shù)據(jù)

文章名稱 引用次數(shù)
  • Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transist...

    38
  • An Artificial Neuron Based on a Threshol...

    36
  • Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O...

    28
  • Spin Logic Devices via Electric Field Co...

    27
  • Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOS...

    27
  • beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Tran...

    26
  • Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes W...

    24
  • 1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Fie...

    24
  • Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diod...

    23
  • First Demonstration of a Logic-Process C...

    22

期刊被引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • IEEE T ELECTRON DEV

    1587
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    1317
  • JPN J APPL PHYS

    594
  • APPL PHYS LETT

    460
  • IEEE J ELECTRON DEVI

    445
  • APPL PHYS EXPRESS

    366
  • SEMICOND SCI TECH

    277
  • J APPL PHYS

    268
  • SOLID STATE ELECTRON

    257
  • ECS J SOLID STATE SC

    249

期刊引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    1317
  • IEEE T ELECTRON DEV

    865
  • APPL PHYS LETT

    812
  • J APPL PHYS

    318
  • ADV MATER

    217
  • NANO LETT

    150
  • ACS APPL MATER INTER

    142
  • SCI REP-UK

    138
  • NATURE

    132
  • APPL PHYS EXPRESS

    119

國(guó)家/地區(qū)發(fā)文數(shù)據(jù)

國(guó)家/地區(qū)名 數(shù)量
  • CHINA MAINLAND

    577
  • USA

    282
  • South Korea

    174
  • Taiwan

    123
  • Japan

    65
  • England

    60
  • India

    49
  • Belgium

    37
  • GERMANY (FED REP GER)

    37
  • France

    32

機(jī)構(gòu)發(fā)文數(shù)據(jù)

機(jī)構(gòu)名 數(shù)量
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

    84
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM

    70
  • XIDIAN UNIVERSITY

    56
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY

    49
  • HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNO...

    48
  • PEKING UNIVERSITY

    42
  • UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN...

    42
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I...

    36
  • IMEC

    35
  • NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY

    35

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