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Journal Of Vacuum Science & Technology B 加入收藏

真空科學與技術學報B SCIE

Journal Of Vacuum Science & Technology B

約3.0個月 審稿時間

4區(qū)中科院分區(qū)

Q3JCR分區(qū)

1.5影響因子

1071-1023

2166-2754

J VAC SCI TECHNOL B

UNITED STATES

工程技術 - 工程:電子與電氣

1991

暫無數(shù)據(jù)

Bimonthly

English

197

0.14...

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期刊簡介

真空科學與技術學報B(Journal Of Vacuum Science & Technology B)是一本由A V S AMER INST PHYSICS出版的一本工程技術-工程:電子與電氣學術刊物,主要報道工程技術-工程:電子與電氣相關領域研究成果與實踐。本刊已入選來源期刊,該刊創(chuàng)刊于1991年,出版周期Bimonthly。2021-2022年最新版WOS分區(qū)等級:Q3,2023年發(fā)布的影響因子為1.5,本刊非開放獲取期刊。

《真空科學與技術雜志 B》側重于微米和納米結構及設備相關的加工、測量和現(xiàn)象。加工可能包括真空加工、等離子加工和微光刻等,而測量則涉及各種材料和設備表征方法,用于了解亞微米和納米結構及設備的物理和化學性質。

中科院分區(qū)信息

真空科學與技術學報B2023年12月升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
真空科學與技術學報B2021年12月舊的升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
真空科學與技術學報B2021年12月基礎版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
真空科學與技術學報B2021年12月升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
真空科學與技術學報B2020年12月舊的升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
名詞解釋:

中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果。在中科院期刊分區(qū)表中,主要參考3年平均IF作為學術影響力,最終每個分區(qū)的期刊累積學術影響力是相同的,各區(qū)的期刊數(shù)量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分區(qū)信息

Journal Of Vacuum Science & Technology B(2023-2024年最新版數(shù)據(jù))
按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 252 / 352
28.6%
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 115 / 140
18.2%
學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 134 / 179
25.4%
按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 278 / 354
21.61%
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 115 / 140
18.21%
學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 145 / 179
19.27%
名詞解釋:

湯森路透每年出版一本《期刊引用報告》(Journal Citation Reports,簡稱JCR)。JCR對86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數(shù)加以統(tǒng)計。JCR將收錄期刊分為176個不同學科類別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當年IF,最終每個分區(qū)的期刊數(shù)量是均分的。

期刊數(shù)據(jù)統(tǒng)計

1、Cite Score(2024年最新版)

暫無Cite Score數(shù)據(jù)

2、綜合數(shù)據(jù)
3、本刊綜合數(shù)據(jù)對比及走勢

文章引用數(shù)據(jù)

文章名稱 引用次數(shù)
  • Review Article: Synthesis, properties, a...

    21
  • Review Article: Atomic layer deposition ...

    14
  • Tutorial on interpreting x-ray photoelec...

    9
  • Future prospects of fluoride based upcon...

    7
  • Realizing ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 wit...

    7
  • High-density energy storage in Si-doped ...

    6
  • Minimal domain size necessary to simulat...

    6
  • Direct metal etch of ruthenium for advan...

    6
  • Reduced twinning and surface roughness o...

    6
  • Atomic force microscope integrated with ...

    6

期刊被引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • JPN J APPL PHYS

    267
  • J APPL PHYS

    249
  • J VAC SCI TECHNOL B

    201
  • APPL SURF SCI

    152
  • J VAC SCI TECHNOL A

    141
  • ACS APPL MATER INTER

    126
  • NANOTECHNOLOGY

    121
  • APPL PHYS LETT

    112
  • ECS J SOLID STATE SC

    105
  • MATER RES EXPRESS

    94

期刊引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • APPL PHYS LETT

    314
  • J VAC SCI TECHNOL B

    201
  • J APPL PHYS

    198
  • PHYS REV B

    108
  • J VAC SCI TECHNOL A

    80
  • NANO LETT

    77
  • THIN SOLID FILMS

    66
  • APPL SURF SCI

    62
  • MICROELECTRON ENG

    62
  • NANOTECHNOLOGY

    62

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