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抗輻照工藝器件ESD性能研究

謝儒彬; 紀旭明; 吳建偉; 張慶東; 洪根深 中國電子科技集團公司第五十八研究所; 江蘇無錫214035
  • 輻射加固
  • 總劑量效應(yīng)
  • 單粒子效應(yīng)
  • esd技術(shù)

摘要:基于抗輻照0.18μm CMOS工藝,研究ESD保護器件GGNMOS結(jié)構(gòu)的ESD性能。為提升電路抗輻照性能,采用薄外延襯底材料且引入場區(qū)總劑量加固工藝技術(shù),提升電路的抗單粒子閂鎖能力SEL使之大于75MeV,同時令抗總劑量輻射能力達到300krad(Si)。在抗輻照工藝開發(fā)過程中,發(fā)現(xiàn)上述工藝加固措施會對器件抗ESD能力產(chǎn)生較大影響,因此在原有的ESD工藝基礎(chǔ)上,對器件結(jié)構(gòu)與ESD工藝進行優(yōu)化。將優(yōu)化后GGNMOS器件應(yīng)用于抗輻照電路的開發(fā)當中進行實際驗證,結(jié)果表明,電路的抗ESD能力大于3000V,滿足了抗輻照加固工藝的應(yīng)用需求。

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微處理機

  • 預(yù)計1個月內(nèi) 預(yù)計審稿周期
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  • 計算機 快捷分類
  • 雙月刊 出版周期

主管單位:中國電子科技集團公司;主辦單位:中國電子科技集團公司第四十七研究所

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