摘要：采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)在4英寸(1英寸=2.54cm)藍(lán)寶石襯底上制備了1.2μm厚的AlN背勢(shì)壘的AlGaN/GaN/AlN雙異質(zhì)結(jié)高電子遷移率晶體管(HEMT)材料,其AlGaN勢(shì)壘層表面粗糙度(RMS)、二維電子氣(2DEG)遷移率以及HEMT材料的彎曲度都較為接近于常規(guī)的高阻GaN背勢(shì)壘結(jié)構(gòu)的HEMT材料。由于AlN晶格常數(shù)較小,具有AlN背勢(shì)壘的HEMT材料受到了更大的壓應(yīng)力。通過(guò)對(duì)比分析兩種HEMT材料所制備的器件發(fā)現(xiàn),受益于AlN背勢(shì)壘層更高的禁帶寬度和臨界電場(chǎng),由AlN背勢(shì)壘HEMT材料所制備的器件三端關(guān)態(tài)擊穿電壓為常規(guī)高阻GaN背勢(shì)壘HEMT器件的1.5倍,緩沖層漏電流則較常規(guī)高阻GaN背勢(shì)壘HEMT器件低2~3個(gè)數(shù)量級(jí)。