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微波合成片狀β-SiC的工藝研究

董陳江; 李紀(jì)鵬; 王若名; 宋勃震; 高前程; 范書珩; 理思遠(yuǎn); 李文豪; 張銳 鄭州航空工業(yè)管理學(xué)院航空材料與應(yīng)用技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 鄭州450015; 鄭州大學(xué)材料科學(xué)與工程系; 鄭州450002
  • 微波加熱
  • 加熱熱效應(yīng)

摘要:片狀β-SiC可通過使用石墨紙(C)作為碳源、正硅酸乙酯水解制得的SiO2溶膠.凝膠作為硅源、經(jīng)微波加熱合成。本文根據(jù)加熱過程中微波爐加熱溫度、輸入功率和反射功率的變化曲線,探討了微波合成片狀β-SiC過程中微波加熱熱效應(yīng)。分別選擇1100°C、1200°C、1300°C、1400°C和1500°C五個(gè)微波燒結(jié)溫度,研究了相同保溫時(shí)間下不同加熱溫度對(duì)微波合成片狀β-SiC的影響。在燒結(jié)溫度1300°C下,選取保溫時(shí)間分別為0min、10min、30min和60min,探索了同一合成溫度下不同保溫時(shí)間對(duì)微波合成片狀β-SiC的影響。采用XRD,SEM技術(shù)對(duì)樣品進(jìn)行了表征。結(jié)果發(fā)現(xiàn),燒結(jié)溫度為1100°C時(shí),產(chǎn)物中合成了片狀β-SiC;當(dāng)燒結(jié)溫度為1400°C時(shí),片狀β-SiC轉(zhuǎn)化為β-SiC顆粒。過高的燒結(jié)溫度和過長的保溫時(shí)間都將導(dǎo)致β-SiC的氧化。在1300°C保溫30min條件下得到的片狀β-SiC生長最好。

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現(xiàn)代技術(shù)陶瓷

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