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鉭酸鋰黑片的制備與性能研究

龍勇; 于明曉; 李和新; 石自彬; 王璐; 丁雨憧; 徐揚(yáng); 吳兆剛 中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所; 重慶400060
  • 鉭酸鋰
  • 還原處理
  • 電阻率
  • 均勻性
  • 晶片

摘要:為了獲得高均勻性、低熱釋電的鉭酸鋰(LT)晶片,采用粉末掩埋法對42°Y-LT晶片進(jìn)行了還原處理。結(jié)果表明,還原處理后的晶片電阻率為3.98×10^10Ω·cm;在365nm處透過率約為36.5%,透過率均勻性為1.15;熱導(dǎo)率為2.66W/(m·K),熱膨脹系數(shù)為2.79×10^-6K^-1,滿足器件使用要求。通過聲表面波器件驗證實驗表明,晶片抗靜電能力效果明顯,器件成品率較高,一致性好。

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壓電與聲光

  • 預(yù)計1-3個月 預(yù)計審稿周期
  • 0.36 影響因子
  • 電子 快捷分類
  • 雙月刊 出版周期

主管單位:中國電子科技集團(tuán)公司;主辦單位:中國電科第二十六研究所

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