摘要：本文詳細(xì)的敘述了SiC SBD和SiC MOSFET器件Pspice建模過程,SiCSBD由于結(jié)構(gòu)簡單,本文根據(jù)Pspice Referenceguide中提到的二極管物理參數(shù)提取理論,詳細(xì)敘述參數(shù)提取和溫度特性擬合。從而建立一個簡單實用的器件模型。借助于功率分析儀對SiC MOSFET進(jìn)行參數(shù)測試。運用matlab進(jìn)行導(dǎo)通電阻,閾值電壓,跨導(dǎo)等相關(guān)參數(shù)擬合,然后進(jìn)一步擬合出輸出輸入特性曲線。對SiC MOSFET的極間電容做最簡單的處理,且考慮極間電容隨VDS兩端電壓的變化而變化。最后對比不同溫度下的SiCMOSFET器件實測數(shù)據(jù)和仿真數(shù)據(jù)。仿真結(jié)果在滿足精準(zhǔn)度的同時并且有很好的收斂性。