《半導(dǎo)體技術(shù)》雜志論文格式要求：
①摘要應(yīng)全面概括論文的主要內(nèi)容，明確反映作者的主要觀點，不能僅僅籠統(tǒng)地介紹論文的思路和結(jié)構(gòu)，避免使用“本文主張”“筆者認為”等評價方式。關(guān)鍵詞應(yīng)為反映論文核心內(nèi)容的專業(yè)術(shù)語，一般3至5個。
②請勿一稿多投。三個月內(nèi)未收到我刊回復(fù)，作者即可自行處理。因人手緊張，恕不退稿，請自留底稿。
③本刊保留對來稿進行修改的及對已刊用稿件在本刊網(wǎng)站上發(fā)表的權(quán)利，不同意者請預(yù)先聲明。
④注解：對正文特定內(nèi)容的解釋與說明，用圈碼標引，在當頁下注文，每頁單獨編碼。
⑤以“參考文獻”（左頂格）作為標志，不分文獻類別不加編號，順序排列。中文參考文獻在前，按拼音順序排列；英文參考文獻在后，按字母順序排列。
基本信息
《半導(dǎo)體技術(shù)》雜志是由中國電子科技集團公司主管，中國電子科技集團公司第十三研究所主辦的國內(nèi)外公開發(fā)行的學術(shù)理論期刊，創(chuàng)刊于1976年，是國內(nèi)電子領(lǐng)域具有廣泛影響力的權(quán)威刊物。
該雜志國內(nèi)刊號為13-1109/TN，國際刊號為1003-353X，現(xiàn)被北大期刊(中國人文社會科學期刊)、統(tǒng)計源期刊(中國科技論文優(yōu)秀期刊)、知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、CA 化學文摘(美)、SA 科學文摘(英)、JST 日本科學技術(shù)振興機構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)、Pж(AJ) 文摘雜志(俄)、劍橋科學文摘、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏等權(quán)威數(shù)據(jù)庫收錄。
此外，還榮獲多項榮譽，如：Caj-cd規(guī)范獲獎期刊、中國優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫、中國期刊全文數(shù)據(jù)庫（CJFD）、中國科技期刊優(yōu)秀期刊、北大圖書館收錄期刊等，這些都體現(xiàn)了該雜志在推動電子理論與實踐發(fā)展方面的重要貢獻。
欄目設(shè)置
《半導(dǎo)體技術(shù)》雜志欄目涵蓋電子領(lǐng)域多個維度，包括：趨勢與展望、 專題報道、 應(yīng)用長廊、設(shè)計與開發(fā)、支撐技術(shù)、 新品推薦。等。
作為一本具有較高學術(shù)水平和影響力的電子雜志，多年來一直致力于推動電子領(lǐng)域的改革與發(fā)展，為電子工作者和研究者提供了一個交流和探索的平臺，對促進我國電子事業(yè)的發(fā)展起到了積極的作用。
《半導(dǎo)體技術(shù)》雜志往年文章平均引文率
投稿咨詢聲明：本信息依據(jù)互聯(lián)網(wǎng)公開資料整理，若存在錯誤，請及時聯(lián)系我們及時更正。
