關(guān)于《Solid-state Electronics》雜志是否接受AI輔助的論文，目前并沒(méi)有明確的官方聲明指出該雜志絕對(duì)接受或拒絕AI輔助撰寫(xiě)的論文，可能會(huì)根據(jù)具體情況進(jìn)行逐案評(píng)估，作者在投稿前可以與雜志社進(jìn)行溝通或咨詢在線客服。

SCI期刊對(duì)AI輔助論文的接受程度因期刊而異，以下是對(duì)SCI期刊接受AI輔助論文情況的詳細(xì)分析：

一、AI輔助論文的使用限制

禁止生成核心內(nèi)容、禁止署名、保證數(shù)據(jù)完整性

二、AI輔助的用途

語(yǔ)言潤(rùn)色，文獻(xiàn)綜述，圖表推薦

三、建議與策略

1.了解目標(biāo)期刊政策：在投稿前，作者應(yīng)仔細(xì)研究目標(biāo)SCI期刊的政策和指南，了解其對(duì)AI輔助論文的態(tài)度和要求。

2.明確聲明AI使用情況：如果論文中使用了AI輔助技術(shù)，作者應(yīng)在投稿時(shí)明確聲明，并提供詳細(xì)的AI使用說(shuō)明和范圍。

3.保持學(xué)術(shù)誠(chéng)信與原創(chuàng)性：作者應(yīng)確保論文的核心內(nèi)容和創(chuàng)新點(diǎn)是由自己獨(dú)立完成的，避免過(guò)度依賴AI生成的內(nèi)容。

4.深度改寫(xiě)與個(gè)性化處理：對(duì)AI生成的內(nèi)容進(jìn)行深度改寫(xiě)和個(gè)性化處理，以體現(xiàn)個(gè)人的學(xué)術(shù)思考和見(jiàn)解。

《Solid-state Electronics》雜志創(chuàng)刊于1960年，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)稱為SOLID STATE ELECTRON，ISSN號(hào)：0038-1101，E-ISSN號(hào)：1879-2405。

該雜志由Elsevier Ltd出版，出版周期為Monthly，出版語(yǔ)言為English。作為一本專注于物理-工程：電子與電氣領(lǐng)域的學(xué)術(shù)期刊，它被國(guó)際權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄，在學(xué)術(shù)界具有較高的影響力。

《Solid-state Electronics》雜志中文名稱為：固態(tài)電子。

本期刊旨在將以下領(lǐng)域的新穎和原創(chuàng)工作的優(yōu)秀論文匯集到一本出版物中：（1）固體物理和技術(shù)在電子和光電子學(xué)中的應(yīng)用，包括理論和器件設(shè)計(jì)；（2）器件的光學(xué)、電學(xué)和形態(tài)表征技術(shù)和參數(shù)提??；（3）半導(dǎo)體器件的制造以及與器件相關(guān)的材料的生長(zhǎng)、測(cè)量和評(píng)估；（4）亞微米和納米級(jí)微電子和光電子器件的物理和建模，包括加工、測(cè)量和性能評(píng)估；（5）數(shù)值方法在固態(tài)器件和過(guò)程的建模和仿真中的應(yīng)用；（6）基于半導(dǎo)體和替代電子材料的納米級(jí)電子和光電子器件、光伏、傳感器和 MEMS；（7）新型器件材料的合成和光電特性。

分區(qū)情況：

在中科院最新升級(jí)版分區(qū)表中，該雜志在大類學(xué)科物理與天體物理中位于4區(qū)，小類學(xué)科ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣中位于4區(qū)。

JCR分區(qū)信息按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)，該雜志在ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域?yàn)镼3。

Cite Score數(shù)據(jù)顯示，CiteScore：3，SJR：0.348，SNIP：0.655

學(xué)科類別

大類：Engineering，小類：Electrical and Electronic Engineering，分區(qū)：Q3，排名：419 / 797，百分位：47%； 大類：Engineering，小類：Condensed Matter Physics，分區(qū)：Q3，排名：245 / 434，百分位：43%；

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