《半導體技術》雜志(CN:13-1109/TN)內(nèi)容豐富、思想健康,1976年創(chuàng)刊,目前以月刊形式發(fā)行,刊物對外積極擴大宣傳,致力于提高雜志質(zhì)量與影響。
《半導體技術》趨勢與展望:全面闡述半導體技術與應用的發(fā)展趨勢;專題報道:每期就設計、生產(chǎn)、應用等企業(yè)關注的熱門技術及焦點論題,進行有深度、廣度的全面剖析;器件制造與應用:半導體器件的設計和制造及在各種領域中的應用;工藝技術與材料:介紹最新的半導體技術制作工藝和該領域用的新材料;集成電路設計與開發(fā):各種IC的設計和應用技術、設計工具及發(fā)展動向;封裝、測試與設備:介紹器件、芯片、電路的測試、設備和封裝的前沿技術;MEMS技術:現(xiàn)代管理:半導體代工廠、潔凈廠房、半導體用水及氣體、化學品,等管理技術;綜合新聞:及時世界各地半導體最新產(chǎn)品及技術信息。
趨勢與展望、 專題報道、 應用長廊、設計與開發(fā)、支撐技術、 新品推薦。
①摘要應全面概括論文的主要內(nèi)容,明確反映作者的主要觀點,不能僅僅籠統(tǒng)地介紹論文的思路和結構,避免使用“本文主張”“筆者認為”等評價方式。關鍵詞應為反映論文核心內(nèi)容的專業(yè)術語,一般3至5個。
②請勿一稿多投。三個月內(nèi)未收到我刊回復,作者即可自行處理。因人手緊張,恕不退稿,請自留底稿。
③本刊保留對來稿進行修改的及對已刊用稿件在本刊網(wǎng)站上發(fā)表的權利,不同意者請預先聲明。
④注解:對正文特定內(nèi)容的解釋與說明,用圈碼標引,在當頁下注文,每頁單獨編碼。
⑤以“參考文獻”(左頂格)作為標志,不分文獻類別不加編號,順序排列。中文參考文獻在前,按拼音順序排列;英文參考文獻在后,按字母順序排列。
影響因子:指該期刊近兩年文獻的平均被引用率,即該期刊前兩年論文在評價當年每篇論文被引用的平均次數(shù)
被引半衰期:衡量期刊老化速度快慢的一種指標,指某一期刊論文在某年被引用的全部次數(shù)中,較新的一半被引論文刊載的時間跨度
期刊他引率:他引率是指,此期刊被引用次數(shù)中,被其他刊引用次數(shù)所占的比例
引用半衰期:指某種期刊在某年中所引用的全部參考文獻中較新的一半是在最近多少年時段內(nèi)刊載的
平均引文率:在給定的時間內(nèi),期刊篇均參考文獻量,用以測度期刊的平均引文水平,考察期刊吸收信息的能力以及科學交流程度的高低
雜志被引半衰期、引用半衰期
雜志影響因子、被引次數(shù)
雜志發(fā)文量、期刊他引率
雜志平均引文率
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